方志来 教授

吴征远 青年副研究员

实验室简介：

       宽禁带半导体实验室在宽禁带半导体氮化镓和氧化镓材料与器件方面具有良好的研究基础和科研条件。研究团队瞄准氧化镓材料与器件的难点与关键核心技术“p 型掺杂”开展了系统深入的研究。研究团队成功制备了p型氮掺杂β-氧化镓薄膜，提出氧化镓p型掺杂机理。是国际上首次实现常温稳定可用的p型氧化镓薄膜的团队 。