近日，复旦大学田朋飞课题组关于硅基InGaN红光micro-LED在多色显示器和高速可见光通信方面的应用研究成果，以《硅衬底InGaN红光micro-LED：用于多色显示和波分复用可见光通信中的潜力》（“Red InGaN Micro-LEDs on Silicon Substrates: Potential for Multicolor Display and Wavelength Division Multiplexing Visible Light Communication”）为题，发表在国际光通信领域顶级期刊《光波技术杂志》（IEEE/OSA Journal of Lightwave Technology）上，成果发表后国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》以“用于可见光通信的红色 InGaN LED”（Red InGaN LEDs for visible light communication）为题做了专栏报道，指出“复旦大学和中国江西晶能半导体股份有限公司首次报告了用于可见光通信的硅基板上的红色发射微型发光二极管，该团队还研究了各种尺寸的微

2021年8月14日，TCL华星光电第二届Vlog科研大赛在深圳落下帷幕，复旦大学信息学院光源系田朋飞副教授课题组研究生团队经过初赛和决赛层层角逐，最终在260多支参赛队伍中脱颖而出，斩获冠军。团队成员为朱世杰、汪舟、单心怡、袁泽兴、赵卓群，指导老师田朋飞。该项赛事涉及半导体显示领域诸多前沿科研问题，有复旦大学、浙江大学、南京大学、中国科学技术大学等10所985高校科研队伍进入决赛。在视频展示、PPT答辩、评委提问等一系列决赛环节中，复旦大学的参赛作品“单芯片micro-LED全彩显示”从理论仿真、材料生长和器件制备等方面系统阐述了目前micro-LED全彩显示技术所遇到的各种挑战，并提出了一种实现单芯片micro-LED全彩显示的新思路，深受华星光电专家评委、领导以及在场观众的一致好评和肯定，得到了产业界同行专家的认可。队员们临场的出色表现和专业性也获得了领导们的赞赏和期望。 复旦大学信息学院近年来主动对接国家重大需求，推动产学研结合发展，积极推进国家十四五规划中关于新型显示、第三代半导体的战略布局，期望突破关键核心技术。祝贺我院学子喜得桂冠，望在未来的科研途中再创佳绩，勇

我系田朋飞课题组基于第三代半导体氮化镓micro-LED阵列，一体化集成多功能水下无线光通信和水下无线充电系统，研究成果于2021年4月发表于知名期刊《Advanced Optical Materials》上（https://doi.org/10.1002/adom.202002211）。 水下无线通信一直是需要突破的关键核心技术。相比于水下无线声纳通信和无线射频通信，水下无线光通信技术拥有更高的数据传输速率、更低的传输延迟和更低的实现成本。由于水下通信环境的复杂性，光信号会受到衰减和干扰，通信距离和通信速率也会受到限制。通过研制新型的发光和探测芯片、通信算法等来解决这个问题成为研究人员关注的重点。另外，为确保设备的续航能力，水下通信等设备的自主充电功能一直是要突破的技术瓶颈。 为突破上述技术瓶颈，复旦大学田朋飞课题组发展了micro-LED阵列的光发射、光电探测以及光伏发电功能，实现了多功能高性能水下无线光通信以及水下充电综合应用系统的构建。系统通过micro-LED发射器和光电探测器可以实现高速双工高性能水下无线光通信，并用micro-LED的太阳能电池功能提供能量供

学校门口，进校的药品放在传送带上，如同地铁安检一样经过“大箱子”中光线照射；食堂后厨，六边形的“顶灯”挂在装卸区和原材料加工区的天花板上，发出淡淡的紫色光芒……

我系方志来教授研究组在国际上首次成功地制备了生长取向可控的超薄单晶（010）β-氧化镓纳米片。其研究结果以“Nanowire-Seeded Growth of Single-Crystalline (010) β-Ga2O3 Nanosheets with High Field-Effect Electron Mobility and On/Off Current Ratio”为题，于2019年4月10日在《Small》上在线发表（DOI: 10.1002/smll.201900580；2019年即时影响因子为10.6）。 β-氧化镓作为一种新型超宽禁带氧化物半导体具有高介电常数、高击穿电场、良好的热稳定性和化学稳定性、优异的电学和光学性能，在紫外透明电极、高温气体传感器、日盲探测器和功率电子器件应用中具有巨大潜力。超薄β-氧化镓纳米片可用于制备高电流密度、高开关比、低亚阈值摆幅的场效应晶体管和快速反应、强光响应能力的日盲探测器。遗憾的是，已报道的β-氧化镓纳米片生长方向不可控、晶体质量一般，很难用于相关器件制备。现阶段，国际上通常采用机械剥离的方法来获得可裂解的（100）

2019年3月23日上午，江苏省盐城国家级经济开发区党工委委员、管委会副主任林彬，区组织部长仇金标等一行9人到访复旦大学电光源研究所，并进行科技人才推介活动。电光源研究所所长郭睿倩教授，支部书记徐蔚，教师代表崔旭高等老师参与了此次接待与交流活动。 电光源研究所所长郭睿倩教授首先对开发区一行来访人员表示了热烈的欢迎，邀请大家观看了电光源研究所成立40年周年的庆典视频，并重点介绍了系所的主要科研方向以及近年来取得的主要科研成果。开发区林主任介绍了盐城经济开发区的概况，他表示光电产业是开发区的支柱产业，复旦大学电光源研究所是中国照明届的黄埔军校，在世界上享有声誉，双方的深度合作对于开发区光电产业的发展具有重要的意义。开发区组织部仇金标部长推介了盐城经济开发区经济社会发展情况、产业发展现状和人才创新政策等。最后，仇金标部长与郭睿倩教授共同为“盐城经开区—复旦大学”大学生实习(实训)基地揭牌。在交流活动中，双方一致表示要进一步加强交流合作，落实各项合作方案，推动电光源研究所的成果在盐城孵化，充分发挥电光源研究所的技术优势和人才优势，助力开发区光电产业的升级和发展。

复旦大学光科学与工程系吴翔教授、陆明教授和光源与照明工程系张树宇副教授合作团队，基于所研发的高增益硅纳米晶薄膜，成功研制出世界上首个全硅激光器。这一成果近期在Science Bulletin以快报形式报道。(https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2095927318300069)(a) DFB全硅激光器的光泵浦和发光示意图；插图：DFB激光器件的实物照片。(b)样品的PL谱随泵浦功率的变化；背景：DFB结构的横截面SEM图像。 集成硅光电子结合了当今两大支柱产业—微电子产业和光电子产业—的精华，预期将在通信、传感、照明、显示、成像、检测等众多领域带来新的技术革命。 硅激光器是实现集成硅光电子的关键。由于硅的间接带隙结构特性，目前，硅的光增益较之通常的III-V族激光材料，仍有1-2个数量级的差距。为避开这个瓶颈，国际上将成熟的III-V族激光器制备在硅基片上，成为一种混合的硅基激光器。而以硅自身作为增益介质的全硅激光器可以更好地匹配现有硅工艺，大幅提升器件的可靠性，其研制既是科学技术上的挑战，也是集成硅光电子

金秋十月，丹桂飘香，在这个美好的时节，复旦大学电光源研究所迎来了成立四十周年纪念。四十载栉风沐雨，四十载春华秋实，这四十年间一代代电光源人继承着前辈们艰苦奋斗、自强不息的精神，秉承着创始人蔡祖泉教授自力更生、自主创新的信念，在各自的岗位上不辍耕耘，辛勤奉献，为中国电光源事业的发展贡献了自己的光和热。 2018年10月27日，先进照明技术与应用研讨会暨复旦大学电光源研究所成立四十周年纪念会在复旦大学光华楼东辅楼202吴文政报告厅隆重举行。是日，贵宾云集，高朋满座，全国各地的校友代表、行业精英以及学会和协会领导济济一堂，畅叙友情，共话发展。 早上8点半开始，嘉宾、校友、教师和学生陆续前往光华楼吴文政报告厅签到处签到拍照，并认真参观了电光源四十周年的照片展，表达了他们对电光源成立四十周年的祝福。科技部原副部长曹健林教授在签到处合影复旦大学光华楼东辅楼202吴文政报告厅会议现场 上半场会议以“继往开来，砥砺前行”为主题。上午10:00，在庄严的国歌声中，会议拉开序幕。上海照明学会理事长，复旦大学电光源研究所前所长梁荣庆教授主持开幕式并播放了系所宣传片，校领导张人禾院士，国家半