Erdan Gu（顾而丹）教授是国际上光子学和光电子研究领域的知名专家，长江学者。担任英国斯特莱德大学光子研究所副所长，光电器件研究室主任，博士生导师。他在英国获得博士学位后，在英国剑桥大学卡文迪许实验室从事过多年的研究工作。在光子学和光电子等研究领域，顾而丹教授具有30余年的工作经历和研究经验，取得了一系列国际上领先的重要科研成果，得到了国际上的公认。他已在《物理评论快报》、《先进材料》、《应用物理快报》、《物理评论》等国际一流刊物上发表了300余篇学术论文。鉴于他的卓越学术成就和领导能力，顾而丹教授还被聘为英国工程和自然科学基金委（EPSRC）评审专家，斯特莱德大学国际化委员会委员，中国教育部长江学者评审专家和特聘教授，北京大学物理学院客座教授，中英先进光电材料和器件联合实验室主任，英国高新技术公司mLED Ltd 的高级技术顾问，中国国家外国专家局重点引智文教专家，并担任一些重要国际期刊的评审和一些期刊和书籍的编委。顾而丹教授每年都应邀在相关的国际学术会议上做邀请报告并担任专题会议主席，他还组织过一些重大的国际光子学和光电子学会议。

• 微纳光电芯片和器件

• 金刚石光学和量子器件

• 光电微系统：应用于显示、传感、微纳操控和光子生物学等领域

• 光通信系统和应用

• 科技部国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”重点专项项目

• 上海市科委高新领域课题

• 江苏省重点研发计划子课题

• 英国工程和自然科学基金委（EPSRC）评审专家，斯特莱德大学国际化委员会委员，中国教育部长江学者评审专家和特聘教授，北京大学物理学院客座教授，中英先进光电材料和器件联合实验室主任，英国高新技术公司mLED Ltd 的高级技术顾问，中国国家外国专家局重点引智文教专家，并担任一些重要国际期刊的评审和一些期刊和书籍的编委。

• 教育部长江学者特聘教授

• 研究员，剑桥大学卡文迪许实验室

• 研究所副所长,研究团队负责人，英国斯特莱德大学，光子研究所

• Plenary talk in “4th International Conference on LED and Solid State Lighting (LED-2010)”, Seoul,  Korea, 2010

• Invited talk in “China International Forum on Solid State Lighting (CHINASSL2010)”, Guangzhou,  2010

• Invited talk in “IMID-2011”, Seoul, Korea, 2011

• Invited talk in “UKSemiconductor-2011”, Sheffield, 2011

• Plenary talk in “IASOMT-2011”, Harbin, 2011

• Invited talk in “SU2P-Symposium”, St. Andrews, 2012

• Plenary talk in “International Symposium on Advanced Optoelectronic Materials and Devices”,  Wuhan, 2013

• Invited talk in “2nd Annual World Congress of Advanced Materials”, Suzhou, 2013

• Invited talk in “EMN”, Orlando, 2013

• Invited talk in “EMN”, Chengdu, 2014

• Invited talk in “WCSM-2015” Busan, South Korea

       在《物理评论快报》、《先进材料》、《应用物理快报》、《物理评论》等国际一流刊物上发表了300余篇学术论文。

• Nanotechnology 35 (39), 395704 （2024）

• IEEE Photonics Journal，15, 8200806, (2023)

• Optics Express 30 (26), 46811-46821（2022）

• IEEE Journal of Quantum Electronics, 58(4),3300214 (2022). (Invited paper，邀请综述)

• Electronics Letters 57 (19), 721-723（2021）

• Optics Express 28 (8), 12149-12156（2020）

• Photonics Research 7 (7), B41-B47（2019）

• Diamond and Related Materials 88, 215-221（2018）

• Journal of Lightwave Technology 35 (12), 2339-2345（2017）

• IEEE Photonics Technology Letters 29 (1), 118-121（2016）

• Monolithic diamond Raman laserOptics Letters, 40, 930 (2015).

• Temperature-dependent efficiency droop of blue InGaN micro-light emitting diodesApplied Physics Letters, 105, 171107 (2014).

• Size-dependent capacitance study on InGaN-based micro-light-emitting diodesJournal of Applied Physics, 116, 044512 (2014).

• Characteristics and applications of micro-pixelated GaN-based light emitting diodes on Si substratesJournal of Applied Physics, 115, 033112 (2014).

• 1.5 Gbit/s multi-channel visible light communications using CMOS-controlled GaN-based LEDsJournal of Lightwave Technology, 31,1211 (2013)

• Size-dependent efficiency droop of blue InGaN micro-light emitting diodesApplied Physics Letters, 101, 231110 (2012).

• CMOS-Controlled Color-Tunable Smart DisplayIEEE Journal of Photonics, 5, 1639 (2012).

• Electrical, spectral and optical performance of yellow–green and amber micro-pixelated InGaN light-emitting diodesSemiconductor Science and Technology，27, 015003 (2012).

• GaN directional couplers for integrated quantum photonicsApplied Physics Letters, 99, 161119 (2011).

• Large cross-section edge-coupled diamond waveguides Diamond and Related Materials, 20,564 (2011).

• Miniaturized optoelectronic tweezers controlled by GaN micro-pixel light emitting diode arraysOptics Express, 19, 2720 (2011).

• Influence of carrier screening and band filling effects on efficiency droop of InGaN light emitting diodesOptics Express, 19, 14182 (2011).

• Diamond double-sided micro-lenses and reflection gratingsOptical Materials, 32, 1123, (2010)