复旦大学研究组在国际上首次成功制备了具有高电子迁移率和开关比的超薄单晶(010)β-氧化镓纳米片
据悉,复旦大学方志来教授研究组在国际上首次成功地制备了生长取向可控的超薄单晶(010)β-氧化镓纳米片。其研究结果以“Nanowire-Seeded Growth of Single-Crystalline (010) β-Ga2O3 Nanosheets with High Field-Effect Electron Mobility and On/Off Current Ratio”为题,于2019年4月10日在《Small》上在线发表(DOI: 10.1002/smll.201900580;2019年即时影响因子为10.6)。 β-氧化镓作为一种新型超宽禁带氧化物半导体具有高介电常数、高击穿电场、良好的热稳定性和化学稳定性、优异的电学和光学性能,在紫外透明电极、高温气体传感器、日盲探测器和功率电子器件应用中具有巨大潜力。超薄β-氧化镓纳米片可用于制备高电流密度、高开关比、低亚阈值摆幅的场效应晶体管和快速反应、强光响应能力的日盲探测器。遗憾的是,已报道的β-氧化镓纳米片生长方向不可控、晶体质量一般,很难用于相关器件制备。现阶段,国际上通常采用机械剥离的方法来获得可裂解的(